高端製造创新 中芯拓新天地
发布时间:2025-01-28 00:20:13 作者:玩站小弟 我要评论
随着“摩尔定律”逐渐逼近物理极限,芯片设计、製造、材料等方面都可能面临巨大变革。先进製程封装 技术酝酿换代昆山玛冀电子有限公司董事长赵宜泰指出,目前芯片製造工艺正面临调整,例如
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随着“摩尔定律”逐渐逼近物理极限,高端芯片设计、製造中芯製造、创新材料等方面都可能面临巨大变革。拓新天地
先进製程封装 技术酝酿换代
昆山玛冀电子有限公司董事长赵宜泰指出,高端目前芯片製造工艺正面临调整,製造中芯例如台积电计劃採用新型3D堆叠技术,创新垂直与水平进行芯片封装,拓新天地可将处理器、高端内存和传感器等几种不同类型芯片堆叠和连接在一起。製造中芯“这种先进製程封装代表一个新的创新时代开始。”赵宜泰认为,拓新天地这意味着芯片设计製造不一定要照原有方式,高端不断追求元器件极小化和数量极大化,製造中芯而是创新可以採用堆叠式、异构型,把原来分离的不同功能的芯片堆叠在一起,使芯片性能大幅提升。
今年12月初,中芯国际透露,其第二代FinFET N+1芯片可望於2020年底小批量试产。该芯片被视为国产準7纳米芯片,整套工艺均採用全国产设备和技术完成,是破除国外技术封锁的一次跨越式发展。
此前,在7纳米以下芯片生产中,EUV光刻机被视为不可缺少的设备,目前全球仅有荷兰光刻机巨头ASML能生产这一高端装备。早在2018年,中芯国际即向ASML订购一台价值约1.2亿美元的EUV光刻机,但受美国禁令影响至今尚未交货。N+1工艺最大的特点就是不需要EUV光刻机,这是中芯国际在高端晶片製造技术上的一次创新性突破。在此基础上,中芯国际计劃於2021年推出N+2工艺,以满足高性能应用的需求。
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